Interruttore high side.
Abbiamo visto come sia semplice comandare da un pin del port del
microcontroller un carico con tensione o corrente molto più elevate dei
limiti del port stesso.
La configurazione open collector con un transistor NPN garantisce un guadagno
di corrente elevato ed una minima necessità di componenti. La tensione di
riferimento è la massa comune all' alimentazione del microcontroller e a
quella del carico.
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Può rendersi necessario, però, comandare un carico che sia
collegato a massa e che, quindi, richieda l' "interruttore"
sul lato della Vcc.
Si tratta di realizzare quello che gli anglofoni definiscono un
"high side switch", dato che il riferimento è alla
Vcc.
Sono molte le situazioni in cui una estremità del carico è
collegata alla massa. Ad esempio in automotive, dove lampade, relè,
ecc, sono collegati alla carrozzeria-massa.
Sono normalmente con un capo a massa i carichi in uscita dai PLC.
L' interruttore high side presenta una maggior sicurezza intrinseca
per l' impianto: in posizione di aperto esclude il carico e i cavi di
collegamento dalla presenza della tensione Vcc, mentre un interruttore
low side disconnette la massa.
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Sarebbe pensabile di utilizzare un transistor NPN con il carico
sull' emettitore, però questa configurazione impedisce il
raggiungimento della minima Vce(sat) . Quindi la soluzione è quella di utilizzare un transistor
PNP, che,
rispetto all' NPN, lavora con la polarità invertita, quindi l'emettitore è collegato alla tensione
positiva e il collettore va sul carico verso la massa.
Ne deriva lo schema seguente:
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Anche il segnale necessario per controllare il transistor PNP è
invertito rispetto all' NPN:
port |
Q1 |
carico |
L |
on |
alimentato |
H |
off |
non alimentato |
Il limite principale di questa soluzione è quello che
la Vcc e la
tensione di alimentazione Vdd del microcontroller devono avere lo stesso
valore.
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Se Vcc fosse più alta della Vdd si avrebbe sull'
emettitore una tensione superiore alla massima erogabile dal pin del
microcontroller e non sarebbe possibile spegnere il transistor.
Infatti, se osserviamo lo schema, la base del transistor è bloccata quando la
sua tensione raggiunge quella dell' emettitore; se questo non è possibile e
una tensione Vc-Vdd è disponibile ed è superiore agli 0.5-0.7V necessari a
far condurre il transistor, nel collettore scorrerà sempre una corrente.
Da osservare che il circuito di comando della base si chiude dalla Vc alla
massa attraverso il driver del port, che, al contrario della
soluzione
NPN, assorbe
corrente dalla tensione di alimentazione attraverso la giunzione B-E.
Il calcolo della R1 è analogo a quello del circuito NPN e
R2
ha la stessa funzione che ha nel circuito NPN, ovvero di mantenere bloccata la
base anche in mancanza di pilotaggio.
Anche in questa configurazione la corrente massima alla base non potrà
superare quella erogabile dal pin del microcontroller e il transistor dovrà
essere scelto in funzione delle caratteristiche del carico.
Se si comandano carichi induttivi, il diodo in parallelo è
obbligatorio.
Se occorre comandare un carico high side con una
Vcc diversa
da quella di alimentazione del microcontroller occorre utilizzare un circuito
leggermente più complesso.
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Si tratta di una combinazione di un NPN open collector che alimenta
un transistor PNP.
Q2 rende il suo carico indipendente dalla Vdd del microcontroller e
Q1
funge da high side switch, come visto sopra e gestisce l'alta tensione e corrente che il micro non può gestire.
In questo modo la Vcc può essere maggiore della Vdd per quanto
supportabile da Q1 e Q2.
La logica è positiva, ovvero:
port |
Q2 |
Q1 |
carico |
L |
off |
off |
non alimentato |
H |
on |
on |
alimentato |
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I calcoli delle resistenze sono analoghi a quanto visto finora. R1 limita la corrente di base di
Q1 e dipende dal suo guadagno e dalla
corrente del carico.
R4 limita la corrente di base di Q2, che dipende dal suo guadagno e dalla
corrente da fornire alla base di Q1.
R2 e R3 hanno la funzione di blocco delle basi in mancanza di pilotaggio da
parte del microcontroller.
indicativamente, R2 deve mantenere a livello alto la base di Q1, quindi
con una tensione vicina o maggiore di quella di emettitore. Se il valore di R3
è troppo basso,
la corrente attraverso R1 può essere insufficiente, quindi una regola
generica è quella di imporre R2 almeno dieci volte maggiore di R1
Analogamente, R3 potrà essere dieci volte il valore di R4, ma se il carico
non ha problemi con il tempo di POR dove manca il pilotaggio del pin del port
del microcontroller, può essere omessa.
Ovviamente, se il carico ha una componente induttiva, il diodo D1 è
obbligatorio.
Un esempio pratico per commutare un carico da 1-4A a 12V:
Q2 darlington |
Q2 non darlington |
R4 = 4k7
R3 = 22 k
R1 = 1k
Q2 = 2N3904, PN2222A
Q1 = TIP137, TIP139
D1 = 1N4004 |
R4 = 3k3
R3 = 33 k
R1 = 180-220 ohm
Q2 = 2N3904, PN2222A
Q1 = TIP32, MJ2955
D1 = 1N4004 |
Anche in questo caso sarà utile valutare la potenza dissipata
nel transistor Q1, che tratta la corrente sul carico. Nel caso di comando di
relè cablati sul circuito stampato, le correnti in gioco sono limitate a
100-200 mA o meno, quindi non ci sono rischi di riscaldamento. Nel caso di
relè di dimensioni maggiori o di elettrovalvole e motori a 12/24V, sarà
indispensabile selezionare il transistore per la corrente/tensione richieste ed
aggiungere un dissipatore adeguato.
Solitamente Q2 non presenta problemi di dissipazione, in
quanto il suo scopo è quello di fornire la corrente di base a Q1; a meno che
il guadagno di questo sia estremamente basso o la sua corrente di collettore molto
alta, Q2 sarà un elemento generico, genere PN2222, BC547, ecc.
Per Q1, invece, se non si tratta di un darlington, necessita di
corrente alla base; transistor PNP di potenza non sono troppo rari, facendo parte
di coppie complementari NPN-PNP, utilizzate, ad esempio, nel campo audio, ma ottimamente adatte anche in queste applicazioni.
Come in precedenza, quanto detto riguarda un comando ON/OFF
"statico", ovvero azionando il transistor come un interruttore
acceso/spento.
Questa configurazione può essere, però, usata anche comandando la base
del transistor con impulsi, ad esempio in PWM, anche se può rendersi
necessaria una maggiore complessità del circuito a seconda del tipo di
carico.
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